Gadgetshowto
I juli förra året meddelade Samsung och IBM att de hade utvecklat en ny process för att tillverka en icke-flyktigt RAM, heter MRAM vilket är upp till 100 000 gånger snabbare än NAND-blixt. Om rapporterna ska tros kommer den sydkoreanska jätten att avslöja MRAM-minnet nästa månad vid sitt Foundry Forum-evenemang.
MRAM står för magnetoresistivt RAM och det produceras med hjälp av Spin-transfer moment-teknik. Detta kommer i sin tur att leda till minneskretsar med låg kapacitet för mobila enheter som för närvarande använder NAND-flash för att lagra data.
Denna STT-MRAM förbrukar mycket mindre ström när den är på och lagrar information. När RAM-minnet inte är aktivt kommer det inte att använda ström eftersom minnet inte är flyktigt. Så detta MRAM förväntas allmänt användas av tillverkare för applikationer med extremt låg effekt.
Enligt Samsung är produktionskostnaden för inbäddad DRAM billigare än för flashminne. Trots MRAMs mindre storlek är dess hastighet också snabbare än vanliga blixtminnen. Tyvärr kan Samsung inte producera mer än några megabyte av minnet just nu. I nuvarande tillstånd är MRAM bara tillräckligt bra för att vara används som cacheminne till applikationsbehandlare.
Samsungs Foundry Forum Event planeras att hållas den 24 maj och det är förhoppningsvis när vi får mer information om Samsungs kommande MRAM. Det har rapporterats att Samsungs LSI-affärsavdelning har arbetat upp en prototyp av en SoC som har MRAM inbyggt, vilket sannolikt också kommer att presenteras vid samma evenemang.
